在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。

全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定...

随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增。

瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T－HEMT）和其他器件。

从2016年底开始，SiC晶圆供应持续短缺。去年，来自市场的抱怨不断。有些人预计这种情况将在2017年下半年得到缓解。但现在2018年已近尾声，市场供应短缺问题仍然存在。晶圆供应，已成为2018年SiC市场增长的瓶颈之一。这种现状的出现，主要原因有两个：首先，从4英寸到6英寸晶圆的转变，比供应商预期的要快得多；其次，晶圆需求的增长，也快于市场预期。

ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。另外，此次开发的SiC-MOS...